TESCAN SOLARIS X,
ein Plasma FIB-REM
Kraftpaket
Verbessern Sie die Fehleranalyse auf Package-Ebene mit unserer fortschrittlichen Plattform für tiefes Schneiden und hochauflösende Endpunktbestimmung
Die wichtigsten Vorteile der TESCAN Plasma FIB-REM
Zielgerichtete Leistung
Beschleunigen Sie die effiziente physikalische Fehleranalyse Weise mit den schnellen Materialabtragsraten des Xe Plasma FIB-Strahls.
Tiefe Probe
Zugang
Erreichen Sie verborgene Strukturen in einer Tiefe von bis zu 1 mm bei einem maximalen Ionenstrahlstrom von 3 μA.
Präzision auf der Nanometer-Ebene
Mit der hochauflösenden Bildgebung der Triglav™ REM-Säule erzielen Sie beim Fräsen oder Querschneiden nanometergenaue Endpunkte.
Hervorragend Oberflächenempfindlichkeit und hoher Materialkontrast
Erzeugen Sie ultrahochauflösende Bilder von strahlungsempfindlichen Materialien mit Hilfe der für hervorragende Oberflächenempfindlichkeit und Materialkontraste ausgelegten Triglav™ REM-Säule von TESCAN.
Unverfälschte Probenkonservierung
Mit den inerten Xe-Ionen des Plasma-FIB-Strahls lassen sich hochwertige, störungsfreie TEM-Proben herstellen, ohne dass es zu Ga-Implantationen oder Oberflächenbeschädigungen kommt.
Artefaktfrei
Ergebnisse
Erstellen Sie artefaktfreie Querschnitte, selbst bei anspruchsvollen Verbundwerkstoffen, mit unserer patentierten Rocking Stage für wechselnde Fräswinkel und das TRUE X-sectioning Verfahren, um den Ionenstrahl effizient bei höchsten Strömen zu nutzen.
Benutzerorientiert
Schnittstelle
Steigern Sie die Produktivität aller Bediener mit fortschrittlichen Workflows in der grafischen Benutzeroberfläche von TESCAN Essence™.
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TESCAN SOLARIS X für die Fehleranalyse an Halbleiter-Packages
Tauchen Sie tief in das TESCAN Plasma FIB-REM ein
Erfahren Sie, wie Sie mit TESCAN SOLARIS X besonders großflächige Querschnitte in OLED-Displays erstellen können
Komplexe Fehler aufdecken: Analyse von IC-Packages und -Bauteilen der nächsten Generation
Physikalische Fehleranalyse von modernen gestapelten IC-Packages (2,5D, 3D IC), Flip-Chips, MEMS-Bauteilen, OLED- und TFT-Displays, MLCC-Kondensatoren, 3D-NANDs und vielem mehr.
Enthüllen Sie Materialgeheimnisse in der Tiefe mit der 3D-EDX- und EBSD-Mikroanalyse
Nutzen Sie die schnelle, großvolumige 3D-EDX- und 3D-EBSD-Mikroanalyse von modernen Packaging-Elementen wie Lotkugeln, TSVs und Bondpads für eine eingehende Analyse und Charakterisierung der Materialzusammensetzung.
![Mit dem Nanomanipulator herausgehobene vorgefertigte Siliziummaske im TESCAN TrueX-Sectioning Workflow.](https://de.info.tescan.com/hs-fs/hubfs/2023_Semiconductors%20Website%20Assets/Images/Packaging-L2-deep-setioning-img-700x700px-scalebar-logo-02.jpg?width=700&height=700&name=Packaging-L2-deep-setioning-img-700x700px-scalebar-logo-02.jpg)
Aufdeckung von Merkmalen unter der Oberfläche: Herstellung von Ga-freien TEM-Lamellen für die STEM-Analyse
Herstellung von präzisen, qualitativ hochwertigen, Ga-freien TEM-Lamellen mit einer Dicke von weniger als 100 nm von Proben auf Gehäuse- und IC-Ebene für die anschließende STEM-Analyse.
Optimieren Sie Ihre Analysen mit unseren Lösungen
TESCAN Rocking Stage
![Probe auf dem TESCAN Rocking Stage im Koinzidenzpunkt der Strahlen für präzises Plasma-FIB-Polieren.](https://de.info.tescan.com/hs-fs/hubfs/image29.png?width=738&height=492&name=image29.png)
Erzielen Sie artefaktfreie FIB-Querschnitte und eine präzise Endpunktbestimmung im REM für anspruchsvolle Proben.
TESCAN True X-Sectioning
![Verschiedene Größen von vorgefertigten Siliziummasken im TESCAN TrueX-Sectioning Workflow.](https://de.info.tescan.com/hs-fs/hubfs/truex8.png?width=738&height=493&name=truex8.png)
Sparen Sie Zeit bei Rippel-freien Plasma FIB-Querschliffen, auch bei hohen Strahlströmen.
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Unser weltweites Team beantwortet gerne Fragen zu TESCAN FIB-SEMs und unseren Lösungen für die Fehleranalyse von Halbleitern und IC-Verpackungen.