TESCAN AMBER X
Fortschrittliche Halbleiter
Verzögerung
TESCAN AMBER X für die Verzögerung
Einheitliche
Verzögerung
![21d](https://de.info.tescan.com/hs-fs/hubfs/21d.png?width=125&height=154&name=21d.png)
Erzielen Sie eine konsistente, artefaktfreie Verzögerung durch den Einsatz unserer maßgeschneiderten Nanoflat Chase- und C-Maze-Gaschemie, die für Technologieknoten unter 10 nm optimiert ist.
Gerät
Integrität
![18](https://de.info.tescan.com/hs-fs/hubfs/18.png?width=131&height=131&name=18.png)
Bewahren Sie die elektrischen Eigenschaften mit unserem präzisen Plasma-FIB-Fräsen mit niedrigen kV, bei dem inerte Xe-Ionen für eine schonende Handhabung verwendet werden.
Störung
Lokalisierung
![Delyering_icon-1](https://de.info.tescan.com/hs-fs/hubfs/Delyering_icon-1.png?width=182&height=107&name=Delyering_icon-1.png)
Optimieren Sie die Defektisolierung mit unserer verfeinerten linseninternen Erkennung, die für eine effektive passive Spannungskontrastdarstellung entwickelt wurde.
Verzögerung
Automatisierung
![Delyering_icon-2](https://de.info.tescan.com/hs-fs/hubfs/Delyering_icon-2.png?width=192&height=135&name=Delyering_icon-2.png)
Vereinfachen Sie die Endpunktbestimmung mit unserer intelligenten TESCAN DelayeringTM Software, die die Verzögerung bis zur Zielschicht automatisiert.
Elektrische
Analyse
![Delyering_icon-3](https://de.info.tescan.com/hs-fs/hubfs/Delyering_icon-3.png?width=174&height=150&name=Delyering_icon-3.png)
Erleichtern Sie die In-Situ-Verifizierung oder Charakterisierung von elektrischen Fehlern mit kompatiblen, branchenführenden Nanoprobing-Lösungen.
Benutzer
Produktivität
![12](https://de.info.tescan.com/hs-fs/hubfs/12.png?width=159&height=137&name=12.png)
Mit der intuitiven grafischen Benutzeroberfläche von TESCAN EssenceTM steigern Sie die betriebliche Effizienz von Anwendern auf allen Ebenen.
Entdecken Sie TESCAN AMBER X
für Verzögerung
Die Vorteile von TESCAN AMBER X für das Delayering
Nutzen Sie das SEM-basierte Nanoprobing für die detaillierte Charakterisierung von NMOS- und PMOS-Transistoren über verschiedene Halbleiterknoten hinweg und erleichtern Sie so die präzise Ausrichtung der Schichten für eine effektive Verzögerung.
![img02 kopie](https://de.info.tescan.com/hs-fs/hubfs/img02%20kopie.png?width=476&height=476&name=img02%20kopie.png)
Vertieftes SEM-basiertes Nanoprobing
Nutzen Sie das hochentwickelte SEM-basierte
Nanoprobing zur genauen
Charakterisierung von NMOS- und PMOS-Transistoren
über ein Spektrum von
Halbleiterknoten, einschließlich
22, 14, 10 und 5 nm.
![img01](https://de.info.tescan.com/hs-fs/hubfs/img01.png?width=476&height=476&name=img01.png)
Gezielte gleichmäßige Verzögerung
Erzielen Sie eine akribische, einheitliche
Verzögerung, unterstützt durch
fortschrittliche Automatisierung, die genau
die von Ihnen
festgelegten Schichten innerhalb des Stapels identifiziert und anhält.
![img03 kopie](https://de.info.tescan.com/hs-fs/hubfs/img03%20kopie.png?width=476&height=476&name=img03%20kopie.png)
Konsistente großflächige Verzögerung
Unsere spezielle "gebohrte" Düse sorgt für eine großflächige, gleichmäßige Verzögerung auf großen Flächen von 300 × 300 μm2.
Fragen?
Möchten Sie eine virtuelle Demo?
Unser weltweites Team beantwortet gerne Fragen zu TESCAN FIB-SEMs und unseren Lösungen für die Fehleranalyse von Halbleitern und IC-Verpackungen.