Master IC Packaging
Fehleranalyse
mit TESCAN-Lösungen

Erleben Sie die Leistungsfähigkeit von Plasma FIB-REM
und den innovativen TESCAN Large Volume Workflow

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Neue Veröffentlichung

Optimierung der Fehleranalyse bei Halbleitern: Die Leistungsfähigkeit der Kombination von Laserablation und Xe-Plasma FIB-REM

Die Ausschöpfung des vollen Potenzials der eigenständigen ps-Laserablation in Kombination mit Plasma FIB-REM macht die schnelle und genaue Fehleranalyse in mikroelektronischen Bauteilen einfacher als je zuvor. Erfahren Sie in unserem neuesten Beitrag, wie Sie die Produktivität durch gleichzeitigen, kontinuierlichen Systembetrieb maximieren können!

Jetzt herunterladen und die Herausforderungen der Halbleiterindustrie anders angehen
Erste Seite einer wissenschaftlichen Arbeit über die Optimierung der Halbleiter-Fehleranalyse.

Mit der Weiterentwicklung von Halbleitern stehen die Labors für die Fehleranalyse von IC-Packages vor beispiellosen Herausforderungen. Die Bewältigung komplexer Anforderungen der Halbleiter-Fehleranalyse, sich entwickelnder Gehäuse-Architekturen, kleiner werdender Merkmale und des Aufkommens exotischer und empfindlicher Materialien ist eine gewaltige Aufgabe. In der Zwischenzeit liefern sich globale Halbleiterunternehmen ein Wettrennen um die Entwicklung von hochmodernen Chips, Gehäusen/Packages und Chiplets für anspruchsvolle Kommunikationsgeräte und vielseitige Unterhaltungselektronik.

Chip Tescan Packaging

Allgemeine Probleme beim IC-Design und bei der Herstellung von IC-Packages:

Mikrorisse an der Grenzfläche zwischen Kontakthöcker und 'Under-Bump' Metallisierung und dem Polyimid.
Mikrorisse am Kontakthöcker und der 'Under-Bump' Metallisierung; Artefakte wurden mit Hilfe der TESCAN Rocking Stage entfernt.
Sichtbare Mikrorisse an der FIB-polierten Grenzfläche zwischen Kontakthöcker und IMC-Schicht.
Mikrorisse an der FIB-polierten Grenzfläche zwischen Kontakthöcker und 'Under-Bump' Metallisierung.
Querschnitt durch mehrere Matrizen in einem 'Advanced Package', hergestellt durch Laserablation und Plasma-FIB.
Delaminierung an der metallurgischen Schnittstelle zwischen C4-Kontakthöcker und -unterhöcker.
  • Lose leitfähige Partikel
  • Probleme mit der Beschichtung
  • Fehler bei Draht- und Bandverbindungen
  • Feuchtigkeitsbedingte Ausfälle
  • Fehler im Package (Verkapselung)
  • Bildung von Intermetallen
  • EOS- / ESD-bezogen
  • Ermüdungsrisse
  • Hohlräume in Kontakthöckern (Micro-bumps)
  • Leiterbahnunterbrechungen und Elektromigration
  • Verzug von TSV-Chips

Nachhaltige IC-Packaging-Fehleranalyse mit modernsten TESCAN-Lösungen

Nachhaltige IC Packaging Fehleranalyse hängt von vielfältigem Fachwissen und einer breiten Palette von zerstörungsfreien und zerstörenden Verfahren ab, die von FA-Tools bereitgestellt werden. TESCAN unterstützt seine Kunden mit innovativen Lösungen, einschließlich zerstörungsfreier micro-CT Fehleranalyseanwendungen, TESCAN SOLARIS X Plasma FIB-REM und dem Large Volume Workflow, der beide Technologien, Laserablation und Plasma FIB-REM nahtlos kombiniert.

Darüber hinaus arbeitet TESCAN mit europäischen Partnern im Rahmen von FA4.0 zusammen, einem Projekt, das darauf abzielt, fließendere Arbeitsabläufe für die Fehleranalyse zwischen zahlreichen Fehleranalyseinstrumenten und ein Datenmanagement für die Digitalisierung von Fehleranalyselabors in der Mikroelektronik zu schaffen. Erfahren Sie mehr über FA4.0 in unserer Rubrik Einblicke!

Überzeugen Sie sich selbst davon, wie diese Lösungen die Fehleranalyse an IC-Packages auf ein neues Niveau heben.

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Erleben Sie die ultimative Plasma FIB-REM-Plattform für tiefe Schnitte und hochauflösende Endpunkte in der IC Packaging Fehleranalyse.

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Nutzen Sie die Synergie von Plasma FIB-REM, einem separaten Laser- und anderen FA-Tools für die Probenvorbereitung und -analyse im Millimeterbereich.

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Unser weltweites Team beantwortet gerne Fragen zu TESCAN FIB-SEMs und unseren Lösungen für die Fehleranalyse von Halbleitern und IC-Verpackungen.