Effiziente Nutzung von Ressourcen
Unterstützen Sie Ihre Forschung mit einem System, das vorprogrammierte Rezepte für eine unbeaufsichtigte, konsistente Plasma-FIB-Verzögerung verwendet und dabei die Geräteintegrität bewahrt.
Eigene Chemie-Integration
Profitieren Sie von der Synergie zwischen der Xe Plasma FIB und dem TESCAN m, das für eine optimale Verzögerung in modernen Halbleiterknoten entwickelt wurde.
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Automatisierte Verzögerung durch mehrere untere Schichten eines 7-nm-FinFET-CPU-Bauelements unter Verwendung von Nanoflat- und C-Labyrinth-Chemie.
Anpassungen und
Konsistenz
Erstellung und Anwendung einzigartiger Verzögerungsprozesse mit vordefinierten Vorlagen, die eine einheitliche Anwendung und Wiederholbarkeit bei allen Proben gewährleisten.
Eingehende Überwachung
Verfolgen Sie den Verzögerungsfortschritt mit einer ausgefeilten Endpunkterkennung, die die Spitzenerkennung innerhalb des TESCAN Verzögerungsmoduls für präzises Anhalten nutzt.
A) Live-Peak-Erkennung am FIB-Endpunktsignal während des Verzögerungsprozesses.
B) 14-nm-Bauteil, verzögert auf M0. Bildgebung und Sondierung bei 500 eV.
Ununterbrochene
Sicherheit
Verlassen Sie sich auf automatisierte Prozesse, die dafür ausgelegt sind, Verzögerungen zu stoppen, bevor sie kritische Schichten erreichen, und so die Gerätefunktionalität zu sichern.
Erweiterte Anwendungen für EssenceTM Automated Delayering
Verbesserte Bildgebung
Nutzen Sie die REM-Bildgebung unter 1 kV für einen deutlichen Spannungskontrast und eine schnelle Fehlererkennung.
Chemie-Optionen
Wählen Sie aus verschiedenen Verzögerungschemien wie Nanoflat, Chase und C-maze, die auf verschiedene Probentypen zugeschnitten sind.
EssenceTM-Modul
Nutzen Sie das Essence Delayering-Modul für gleichmäßiges Ätzen des 3D-NAND-Stapels, um eine gründliche Analyse zu gewährleisten.