Erhöhter Durchsatz bei der Probenvorbereitung
TESCAN SOLARIS X 2 erweitert die Möglichkeiten der physikalischen Fehleranalyse mit der FIB auf großflächige Anwendungen und macht damit das tiefe Querschneiden von modernen Gehäusen, Displays, MEMS und optoelektronischen Bauteilen effizienter.
Mit der neuen Generation der Mistral™ Xe Plasma-FIB-Säule bietet SOLARIS X 2 einen höheren maximalen Ionenstrahlstrom und ein schärferes Ionenstrahlprofil über den gesamten Bereich mit deutlich reduzierten Strahlschwänzen. Dadurch können die Bediener höhere Fräs- und Polierströme verwenden und eine hervorragende Oberflächenqualität erzielen, die mit der konventionellen Plasma-FIB vergleichbar ist, jedoch mit höherer Geschwindigkeit und Präzision.
SOLARIS X 2: Erweiterung der Plasma-FIB-SEM-Fähigkeiten für große und kleine Anwendungen
Das SOLARIS X 2 ist das Flaggschiff unter den Plasma-FIB-SEM-Mikroskopen von TESCAN und bietet höchste Auflösung und Signalstärke am Schnittpunkt von FIB- und SEM-Strahl. Diese Präzision ermöglicht es den Anwendern, die kleinsten Defekte in komplexen IC-Gehäusestapeln, HBM-Speichern und anderen heterogen integrierten Bauteilen genau zu erkennen.
Die verbesserten Eigenschaften des Ionenstrahls reduzieren die typischen FIB-Artefakte und minimieren den Bedarf an alternativen Hochstrom-Poliermethoden. Außerdem ermöglichen sie eine automatisierte TEM-Lamellenpräparation und effiziente Querschnitte unter 100 µm.
Wie TESCAN SOLARIS X 2 Ihren Bedürfnissen entspricht
Zielgerichtete Leistung
Beschleunigen Sie die physikalische Fehleranalyse mit den schnellen Materialabtragsfähigkeiten des Xe-Plasma-FIB-Strahls.
Deep Sample
Zugriff
Erreichen von vergrabenen Strukturen mit einer Tiefe von bis zu 1 mm bei Ionenstrahlströmen von bis zu 3,3 μA.
Präzision
auf der Nanoskala
Erzielen Sie dank der hochauflösenden Bildgebung der Triglav™ SEM-Säule präzise Endpunkte mit Nanometergenauigkeit beim Fräsen oder Querschneiden.
Hervorragende Oberflächen-Empfindlichkeit
Führen Sie mit der Triglav™ SEM-Säule, die für eine hervorragende Oberflächenempfindlichkeit und einen hervorragenden Kontrast ausgelegt ist, ultrahochauflösende Aufnahmen von strahlungsempfindlichen Materialien durch.
Unverfälschte Probenkonservierung
Präparieren Sie hochwertige, schadensfreie TEM-Proben mit den inerten Xe-Ionen des Plasma-FIB-Strahls und vermeiden Sie Ga-Implantation oder Oberflächenschäden.
Artefaktefreie
Querschnitte
Erstellen Sie saubere, artefaktfreie Querschnitte, selbst bei schwierigen Materialien, mit unserem patentierten Kipptisch für wechselnde Fräswinkel und TRUE X-sectioning für die optimale Nutzung des Ionenstrahls bei hohen Strömen.
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Analysieren Sie komplexe Fehler in IC-Gehäusen und -Bauteilen der nächsten Generation
TESCAN SOLARIS X 2 eignet sich hervorragend für die physikalische Fehleranalyse von modernen gestapelten IC-Gehäusen (2,5D, 3D IC), Flip-Chips, MEMS-Bauteilen, OLED- und TFT-Displays, MLCC-Kondensatoren, 3D-NANDs und mehr.
Unter der Oberfläche liegende Merkmale aufdecken: Präzise ga-freie TEM-Lamellen für die STEM-Analyse
Erzeugen Sie hochwertige, Ga-freie TEM-Lamellen mit einer Dicke von weniger als 100 nm von Proben auf Gehäuse- und IC-Ebene, die sich ideal für die anschließende STEM-Analyse eignen.
Enthüllen Sie Materialgeheimnisse mit 3D-EDS- und EBSD-Mikroanalyse in der Tiefe
Nutzen Sie die schnelle, großvolumige 3D-EDS- und EBSD-Mikroanalyse für fortschrittliche Packaging-Bauteile wie Lotkugeln, TSVs und Bondpads und ermöglichen Sie eine umfassende Analyse und Charakterisierung der Materialzusammensetzung.
Die wichtigsten Vorteile von TESCAN SOLARIS X 2
Analyse von lokalisierten Fehlern
Mit der Mistral™ Xe Plasma FIB-Säule, die maximale Ionenstrahlströme von bis zu 3,3 µA für einen schnellen Materialabtrag liefert, können Sie hochgradig lokalisierte physikalische Fehleranalysen im sub-mm-Bereich durchführen.
Artefaktfreie Querschnitte
Erzeugen Sie saubere Querschnitte ohne Vorhang- und Terrassenartefakte, selbst bei schwierigen Materialien wie Polyimid, SiC, Keramik und Glas, mit unserem integrierten Kipptisch und der TRUE X-sectioning-Technologie zur Optimierung der Fräswinkel und Unterdrückung von Ionenstrahlschwänzen.
Hochwertige Ga-freie TEM-Lamellen
Präparieren Sie Ga-freie TEM-Lamellen aus Halbleiterproben mit verbesserter Qualität und Effizienz durch das verbesserte Ionenstrahlprofil von Mistral, das die Verwendung höherer Ionenstrahlströme ohne Beeinträchtigung der Probenschutzschichten ermöglicht.
Präzise Endspitzen
Erzielen Sie während des Fräsens oder Querschneidens mit der hochauflösenden Triglav™ SEM-Bildgebung am FIB-SEM-Koinzidenzpunkt ein präzises Auffinden bestimmter Bereiche oder Defekte (Risse, Lücken, Delaminationen).
Maximierter Durchsatz und Bereitschaft:
Die vollautomatische Ausrichtung von Elektronensäulen und Xe-Plasma-FIB-Säulen sorgt für konsistente Ergebnisse und verkürzt die Einrichtungszeiten.
Benutzerzentrierte Produktivität:
Steigern Sie die Produktivität aller Benutzer mit den fortschrittlichen Arbeitsabläufen von TESCAN und den geführten Assistenten in der grafischen Benutzeroberfläche Essence™.
Steigern Sie Ihre Analysen mit diesen Lösungen
TESCAN Rocking Stage
Erzielen Sie artefaktfreie FIB-Querschnitte und eine präzise Endpunktbestimmung im REM für anspruchsvolle Proben.
TESCAN True X-Sectioning
Sparen Sie Zeit mit ripplefreiem Plasma-FIB-Querschnitt , der den Vorteil des hohen Strahlstroms nicht beeinträchtigt.
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