TESCAN AMBER X 2 für die Verzögerung
Einheitliche
Verzögerung
Erzielen Sie eine konsistente, artefaktfreie Verzögerung durch den Einsatz unserer maßgeschneiderten Nanoflat Chase- und C-maze-Gaschemie, die für Technologieknoten unter 10 nm optimiert ist.
Gerät
Integrität
Erhalten Sie die elektrischen Eigenschaften mit unserem präzisen Plasma-FIB-Fräsen mit niedrigen kV, bei dem inerte Xe-Ionen für die empfindliche Probenbearbeitung eingesetzt werden.
Störung
Lokalisierung
Optimieren Sie die Defektisolierung mit unserer verfeinerten linseninternen Erkennung, die für eine effektive passive Spannungskontrastdarstellung entwickelt wurde.
Verzögerung
Automatisierung
Vereinfachen Sie die Endpunktbestimmung mit unserer intelligenten TESCAN DelayeringTM Software, die die Verzögerung bis zur Zielschicht automatisiert.
Elektrische
Analyse
Erleichtern Sie die In-Situ-Verifizierung oder Charakterisierung von elektrischen Fehlern mit kompatiblen, branchenführenden Nanoprobing-Lösungen.
Benutzer
Produktivität
Mit der intuitiven grafischen Benutzeroberfläche von TESCAN EssenceTM steigern Sie die betriebliche Effizienz von Anwendern auf allen Ebenen.
Entdecken Sie TESCAN AMBER X 2
für Verzögerung
Die Vorteile von TESCAN AMBER X 2 für das Delaying
Nutzen Sie das SEM-basierte Nanoprobing für die detaillierte Charakterisierung von NMOS- und PMOS-Transistoren über verschiedene Halbleiterknoten hinweg und erleichtern Sie so die präzise Ausrichtung der Schichten für eine effektive Verzögerung.
Vertieftes SEM-basiertes Nanoprobing
Nutzen Sie das hochentwickelte SEM-basierte
Nanoprobing zur genauen
Charakterisierung von NMOS- und PMOS-Transistoren
über ein Spektrum von
Halbleiterknoten, einschließlich
22, 14, 10 und 5 nm.
Gezielte gleichmäßige Verzögerung
Erzielen Sie eine akribische, gleichmäßige Verzögerung, unterstützt durch eine fortschrittliche Automatisierung, die die von Ihnen festgelegten Schichten innerhalb des Stapels intelligent identifiziert und anhält.
Konsistente großflächige Verzögerung
Unsere spezielle "gebohrte" Düse sorgt für eine großflächige, gleichmäßige Verzögerung auf großen Flächen von 300 × 300 μm2.